Інститут мікроелектроніки Академії наук КНР (IMECAS) відрапортував про чергові досягнення в розробці методик виробництва електронних мікрочіпів.
У Китаї розроблений польовий транзистор з шириною затвора в 22 нанометра. При цьому передбачається застосування технології HKMG, яка заснована на використанні діелектриків з високою діелектричною проникністю (high-k) і транзисторів з металевими затворами (metal gate).
У IMECAS відзначають, що досягнення відкриває шлях до створення мікросхем з швидкодією «світового класу і низькою розсіюваною потужністю». У перспективі розробка дозволить КНР зменшити залежність від іноземних виробників чіпів, а також знизити вартість виготовлення електронних пристроїв. Про терміни впровадження технології не повідомляється.
Нагадаємо, що 22-нанометрову методику при випуску комп’ютерних процесорів зараз застосовує корпорація Intel. А Samsung готується до впровадження 14-нанометровій технології виготовлення «систем на чіпі» за передовою методикою FinFET (Double-Gate Field-Effect Transistors), яка передбачає застосування транзисторів з тривимірною структурою.